近期，北方华创12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单，市占率不断攀升，赢得客户信任。这标志着北方华创CVD（化学气相沉积）先进工艺设备解决方案的成功应用，为华创进一步拓宽高端设备赛道注入新的动力。

为了突破晶体管尺寸微缩的工艺瓶颈，业界采用新型High-K材料HfO2（氧化铪）作为栅介质层，结合金属栅极技术，研发出HKMG(High-K/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。该工艺在45nm及以下节点占据核心地位，CVD/ALD（原子层沉积）工艺设备成为HKMG工艺的重要支撑。北方华创凭借多年的原子层沉积技术积累，创新推出12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430，凭借领先的性能优势、产能优势，以及应用于国内12英寸主流Fab（半导体制造）厂的实践经验，成为国内HiK量产生产线的主力机台。

未来，北方华创将矢志不渝地加快科技创新的实践步伐，不断推进CVD先进工艺设备的布局研发，为半导体行业的多元化技术需求提供更为高效的解决方案，推动半导体装备制造技术的发展迈向新高度。